Con lo spessore di un solo atomo sono i transistor più sottili mai realizzati finora: a svilupparli i ricercatori coordinati da Xiang Zhang, del Lawrence Berkeley National Laboratory, la cui ricerca è pubblicata sulla rivista Nature Nanotechnology. Un risultato che apre la strada ad una nuova generazione di transistor e che consentirà di accelerare la realizzazione di strumenti elettronici sottili come fogli di carta.
L'altra particolarità di questi transistor ultra-sottili è che sono stati assemblati 'chimicamente'. ''Sono stati utilizzati due materiali bidimensionali - spiega Michele Muccini, direttore dell'Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati di Roma - Il primo è un foglio di grafene, su cui è stato fatto un buchetto, in cui è stato fatto 'crescere' l'altro materiale, un semiconduttore costituito da un metallo di transizione''.
E' stato così ''dimostrato che è possibile realizzare un transistor cresciuto chimicamente - continua - e con lo spessore di un singolo atomo. Sono i più sottili del genere mai realizzati finora''. Entrambi i materiali usati sono infatti costituiti da cristalli a un solo strato e con lo spessore di pochi atomi: in questo modo l'assemblaggio delle due parti ha portato ad una struttura elettronica bidimensionale.
"Si tratta di un grande passo in avanti verso la realizzazione su larga scala di apparecchi elettronici spessi qualche atomo, o per 'impacchettare' più potenza per l'elaborazione dei dati in uno spazio più piccolo'', commenta Zhang. I cristalli utilizzati per realizzare questi transistor possono rappresentare una valida alternativa al silicio, che è molto più spesso in confronto, e consentono di raddoppiare la complessità del circuito elettronico.
Fonte:ansa.it
